Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В ...

SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор, N-канал 60В 1.9А [SOT-23]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

74 руб.

от 100 шт. — 72 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 74 руб.

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000207995

Артикул: SI2308BDS-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs
Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V (ds) and are 100% tested gate resistance(R g ). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.192 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.66
Крутизна характеристики, S	5
Корпус	SOT-23-3
Вес, г	0.05