Мой регион: Россия

SI2315BDS-T1-GE3

Ном. номер: 8174856400
PartNumber: SI2315BDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
SI2315BDS-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 руб.
2629 шт.,
срок 5-6 недель
от 25 шт. — 60 руб.
от 50 шт. — 53 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
16.50 руб. 3-4 недели, 15000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 6000 шт. — 16.30 руб.
от 12000 шт. — 15.90 руб.
74 руб. 3-4 недели, 3000 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 59.40 руб.
от 25 шт. — 48.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single
Process Technology
TrenchFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
12
Maximum Gate Source Voltage (V)
±8
Maximum Continuous Drain Current (A)
3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
50@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
8@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
715@6V
Maximum Power Dissipation (mW)
1190
Typical Fall Time (ns)
50
Typical Rise Time (ns)
35
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
50
Typical Turn-On Delay Time (ns)
15
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Standard Package Name
SOT-23
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.02(Max)
Package Length
3.04(Max)
Package Width
1.4(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing

Дополнительная информация

Datasheet SI2315BDS-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.