SI2315BDS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
88 руб.
Мин. кол-во для заказа 370 шт.
Добавить в корзину 370 шт.
на сумму 32 560 руб.
Описание
SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55 C to 150 C junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-236-3 |
| Part # Aliases: | SI2315BDS-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Rise Time: | 35 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 82 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
