SI2319DS-T1-E3, МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -40 В, 0.065 Ом, -10 В, -3 В

PartNumber: SI2319DS-T1-E3
Ном. номер: 8110468570
Производитель: Vishay
SI2319DS-T1-E3, МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -40 В, 0.065 Ом, -10 В, -3 В
Доступно на заказ 7890 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
52 × = 260
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 35 руб.

Описание

The SI2319DS-T1-E3 is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-236
Рассеиваемая Мощность
750мВт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-40В
Непрерывный Ток Стока
-3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.065Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-3В

Дополнительная информация

Datasheet SI2319DS-T1-E3