Главная › Каталог › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал ...

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

Номенклатурный номер

9000050416

Артикул

SI2323DDS-T1-GE3

Бренд

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Структура

P-канал

Крутизна характеристики, S

Корпус

SOT-23-3

Вес, г

0.05

Все параметры

Datasheet

pdf, 187 КБ

Все документы

Спецпредложение

114 шт. со склада г.Москва

230 руб.

от 100 шт. — 215 руб.

от 1000 шт. — по запросу

1 шт. на сумму 230 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения7

Этот же товар с другими ценами и сроками поставки

Посмотреть аналоги11

Товары со схожими характеристиками

Описание Отзывы

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET ® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK ® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	5.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.039 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.75
Крутизна характеристики, S	16
Корпус	SOT-23-3
Вес, г	0.05