SI2338DS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 5.5

PartNumber: SI2338DS-T1-GE3
Ном. номер: 8031991406
Производитель: Vishay
SI2338DS-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 5.5
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
40 руб. × = 800 руб.
Цена указана за упаковку из 20
Количество товаров должно быть кратно 20 уп.
от 300 уп. — 25 руб.
от 600 уп. — 18.83 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 6A to 7.9A, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.02mm
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Resistance
0.033 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
424 pF@ 15 V
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Typical Turn-On Delay Time
6 ns
Width
1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
высота
1.02mm
длина
3.04mm
тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si2338DS, N-Channel 30V (D-S) MOSFET SI2338DS-T1-GE3