Мой регион: Россия

SI3437DV-T1-GE3, MOSFET P-CHANNEL 150V 1.1A TSOP6

Ном. номер: 8000003676
PartNumber: SI3437DV-T1-GE3
Производитель: Vishay
SI3437DV-T1-GE3, MOSFET P-CHANNEL 150V 1.1A TSOP6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
2735 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 58 руб.
от 100 шт. — 46 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 700 руб.
В кредит от 0 руб./мес
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
1,1 А
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
1.65мм
Высота
1мм
Размеры
3.05 x 1.65 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.05
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс, 14 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
23 нс, 28 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
750 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
150 В
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12,2 нКл при 10 В, 8 нКл при 6 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
510 пФ при 50 В
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.