Мой регион: Россия

SI3900DV-T1-GE3, TRANS MOSFET N-CH 20V 2A

Ном. номер: 8000004995
PartNumber: SI3900DV-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI3900DV-T1-GE3, TRANS MOSFET N-CH 20V 2A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI3900DV-T1-GE3, TRANS MOSFET N-CH 20V 2A
74 руб.
2300 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
250 руб. 3 дня, 19 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2 A
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное рассеяние мощности
830 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3.1мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
14 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
2,1 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.