SI3993CDV-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 2.6

PartNumber: SI3993CDV-T1-GE3
Ном. номер: 8033540013
Производитель: Vishay
SI3993CDV-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 30V 2.6
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
43 руб. × = 860 руб.
Цена указана за упаковку из 20
Количество товаров должно быть кратно 20 уп.
от 300 уп. — 26 руб.
от 600 уп. — 20.65 руб.

Описание

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Конфигурация
Dual
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.188 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.4 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
TSOP
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
5.2 нКл при -10 В
Типичная входная емкость при Vds
210 пФ при -15 В
Типичное время задержки выключения
14 нс
Типичное время задержки включения
39 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1mm
Длина
3.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Si3993CDV, Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET SI3993CDV-T1-GE3