Мой регион: Россия

SI4532CDY-T1-GE3

Ном. номер: 8177660488
PartNumber: SI4532CDY-T1-GE3
Производитель: Vishay
SI4532CDY-T1-GE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
74 руб.
1934 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 58 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
30 руб. 5 дней, 2663 шт. 1 шт. 25 шт.
от 61 шт. — 25 руб.
от 121 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
16 ns, 40 ns
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
14 нс, 20 нс
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А, 6 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
2,78 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мОм, 140 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 10 В, 7,8 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
305 пФ при 15 В, 340 пФ при -15 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.