SI4532DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.9 А, 30 В, 53 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: SI4532DY
Ном. номер: 8042360999
Производитель: Fairchild Semiconductor
Доступно на заказ 2240 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
110 руб. × = 110 руб.
от 25 шт. — 92 руб.
от 50 шт. — 80 руб.

Описание

The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
3.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.053Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SI4532DY