SI4532DY, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.9 А, 30 В, 53 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: SI4532DY
Ном. номер: 8042360999
Производитель: ON Semiconductor
Доступно на заказ 317 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
130 руб. × = 130 руб.
от 25 шт. — 110 руб.
от 50 шт. — 96 руб.


The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SI4532DY