SI4686DY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18.2 А, 30 В, 0.0078 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: SI4686DY-T1-E3
Ном. номер: 8001146748
Производитель: Vishay
SI4686DY-T1-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18.2 А, 30 В, 0.0078 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 2755 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
80 руб. × = 400 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 66 руб.
от 100 шт. — 59 руб.

Описание

The SI4686DY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high-side DC-to-DC conversion applications.

• 100% Rg tested
• Extremely low Qgd WFET® technology for low switching losses
• -55 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
5.2Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
18.2А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0078Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SI4686DY-T1-E3
Datasheet SI4686DY-T1-E3