SI4840BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 19 А, 40 В, 0.0074 Ом, 10 В, 1 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

430 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 10 шт. — 370 руб.

от 100 шт. — 288 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 3 010 руб.

Номенклатурный номер: 8198593692

Артикул: SI4840BDY-T1-GE3

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 19А, Idm: 50А, 3,8Вт, SO8

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.56 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	18.5 nC @ 5 V
Width	4mm
Вес, г	0.236