SI4848DY-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 2.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 40 шт. —
63 руб.
от 80 шт. —
58 руб.
от 160 шт. —
55 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 468 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 150В 2.7A
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Forward Diode Voltage | 1.2V | |
Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V | |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOIC | |
Pin Count | 8 | |
Transistor Configuration | Single | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC | |
Width | 4mm | |
Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов