SI4848DY-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 2.7A

Фото 1/2 SI4848DY-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 2.7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
78 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 40 шт.63 руб.
от 80 шт.58 руб.
от 160 шт.55 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 468 руб.
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8026504980
Артикул: SI4848DY-T1-GE3

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 150В 2.7A

Технические параметры

Корпус so-8
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 2.7 A
Maximum Drain Source Resistance 95 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 150 V
Maximum Gate Source Voltage ±20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 3 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOIC
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Typical Gate Charge @ Vgs 17 nC
Width 4mm
Вес, г 0.16

Техническая документация

Datasheet
pdf, 174 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов