Добавить к сравнению Сравнить ()

SI4909DY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -8 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -1.2 В

PartNumber: SI4909DY-T1-GE3
Ном. номер: 8029325086
Производитель: Vishay
SI4909DY-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -8 А, -40 В, 0.021 Ом, -10 В, -1.2 В
Доступно на заказ 5199 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
67 × = 67
от 25 шт. — 60 руб.
от 100 шт. — 54 руб.

Описание

The SI4909DY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switches, notebook and desktop PC applications.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
3.2Вт
Полярность Транзистора
Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-40В
Непрерывный Ток Стока
-8А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.021Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.2В

Дополнительная информация

Datasheet SI4909DY-T1-GE3