SI7149ADP-T1-GE3, MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
91 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
72 руб.
от 9000 шт. —
70 руб.
от 15000 шт. —
68.21 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 273 000 руб.
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 30В 50A 5,0Вт 0,0052Ом
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
