SI7164DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7164DP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

450 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 450 руб.

Номенклатурный номер: 8053595259

Артикул: SI7164DP-T1-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	60 A
Maximum Drain Source Resistance	6.25 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	104 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PowerPAK SO-8
Pin Count	8
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	49.5 nC @ 10 V
Width	5.26mm
Вес, г	2