Мой регион: Россия

SI7469DP-T1-E3

Ном. номер: 8175009929
PartNumber: SI7469DP-T1-E3
Производитель: Vishay
SI7469DP-T1-E3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
5121 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 214 руб.
от 100 шт. — 166 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
210 руб. 2-3 недели, 2000 шт. 10 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 160 руб.
от 100 шт. — 126 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
28 А
Тип корпуса
PowerPAK SO
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
52S
Высота
1.07мм
Размеры
5.99 x 5 x 1.07мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.99мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
45 ns
Производитель
Vishay Siliconix
Типичное время задержки выключения
105 нс
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
29 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
105 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4700 pF @ -40 V
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.