SI7615ADN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212

Фото 2/4 SI7615ADN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212Фото 3/4 SI7615ADN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212Фото 4/4 SI7615ADN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212
Фото 1/4 SI7615ADN-T1-GE3, P-Channel MOSFET, 35 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1580 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
66 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт.42 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 660 руб.
Посмотреть альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8693866018
Артикул: SI7615ADN-T1-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Semiconductors
МОП-транзистор с каналом P, 8–20 В, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 3.4mm
Transistor Configuration Single
Brand Vishay
Maximum Continuous Drain Current 35 A
Package Type PowerPAK 1212
Maximum Power Dissipation 52 W
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.4mm
Height 1.12mm
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Maximum Drain Source Resistance 9.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Pin Count 8
Typical Gate Charge @ Vgs 122 nC @ 10 V
Transistor Material Si
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Gate Source Voltage -12 V, +12 V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±12
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 1.5
Maximum Continuous Drain Current (A) 22.1
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 4.4@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 122@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 122
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 5590@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 3700
Typical Fall Time (ns) 26
Typical Rise Time (ns) 40
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 75
Typical Turn-On Delay Time (ns) 41
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Automotive No
Supplier Package PowerPAK 1212
Standard Package Name PowerPAK 1212
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.04
Package Length 3.05
Package Width 3.05
PCB changed 8
Lead Shape No Lead
Id - непрерывный ток утечки 35 A
Pd - рассеивание мощности 52 W
Qg - заряд затвора 122 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 12 ns, 40 ns
Время спада 13 ns, 26 ns
Другие названия товара № SI7621DN-T1-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 82 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SI7
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 75 ns, 85 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns, 41 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок PowerPAK-1212-8

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах