Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SIA466EDJ-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор ...

SIA466EDJ-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 20 В, 25 А, 0.0079 Ом, PowerPAK SC-70, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 руб.

Мин. кол-во для заказа 18 шт.

от 100 шт. — 99 руб.

Добавить в корзину 18 шт. на сумму 2 700 руб.

Номенклатурный номер: 8004137128

Артикул: SIA466EDJ-T1-GE3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0079Ом
Power Dissipation	19.2Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	25А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	19.2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0079Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK SC-70
Id - непрерывный ток утечки	25 A
Pd - рассеивание мощности	19.2 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	2.05 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIA
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	SC-70-6
Ширина	2.05 mm
Вес, г	0.18