SIA517DJ-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

Фото 2/4 SIA517DJ-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70)Фото 3/4 SIA517DJ-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70)Фото 4/4 SIA517DJ-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
Фото 1/4 SIA517DJ-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 4.3 A, 4.5 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
940 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
53 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 400 шт.38 руб.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 060 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8000199822
Артикул: SIA517DJ-T1-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Semiconductors
МОП-транзистор с двойным каналом N / P, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 2
Length 2.15мм
Transistor Configuration Isolated
Brand Vishay
Maximum Continuous Drain Current 4.3 A, 4.5 A
Package Type SOT-363 (SC-70)
Maximum Power Dissipation 6,5 Вт
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 2.15мм
Minimum Gate Threshold Voltage 0.4V
Высота 0.8мм
Maximum Drain Source Resistance 65 mΩ, 170 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 12 В
Pin Count 6
Typical Gate Charge @ Vgs 13.1 nC @ 8 V, 9.7 nC @ 8 V
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Channel Type N, P
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Dual
Maximum Drain Source Voltage (V) 12
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Continuous Drain Current (A) 4.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 29@4.5V@N Channel|61@4.5V@P Channel
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 8.2@4.5V@P Channel|5.6@4.5V@N Channel|9.7@8V|13.1@8V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 500@6V@N Channel|590@6V@P Channel
Maximum Power Dissipation (mW) 1900
Typical Fall Time (ns) 10@N Channel|20@P Channel
Typical Rise Time (ns) 10@N Channel|25@P Channel
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 22@N Channel|30@P Channel
Typical Turn-On Delay Time (ns) 10@N Channel|30@P Channel
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package PowerPAK SC-70
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.75
Package Length 2.05
Package Width 2.05
PCB changed 6
Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 6.5 W
Qg - заряд затвора 15 nC, 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 29 mOhms, 61 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 10 ns, 25 ns
Время спада 10 ns, 20 ns
Длина 2.05 mm
Другие названия товара № SIA517DJ-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 21 S, 11 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel, P-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Серия SIA
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 22 ns, 30 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns, 30 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка / блок SC-70-6
Ширина 2.05 mm
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 4.5A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 6.5W
Rds On - Drain-Source Resistance 29mО© @ 5A,4.5V
Transistor Polarity N & P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12V
Vgs - Gate-Source Voltage 1V @ 250uA

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах