SIB456DK-T1-GE3, MOSFET N-Ch 100V 2.7A Pow

PartNumber: SIB456DK-T1-GE3
Ном. номер: 8045562946
Производитель: Vishay
SIB456DK-T1-GE3, MOSFET N-Ch 100V 2.7A Pow
Доступно на заказ более 100 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
32 руб. × = 320 руб.
Цена указана за упаковку из 10
Количество товаров должно быть кратно 10 уп.

Описание

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
1.7 x 1.7 x 0.8
Максимальный непрерывный ток стока
6.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.31 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
13 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SC-70
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
3.3 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
130 пФ при -50 В
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
1.7mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Высота
0.8mm
Длина
1.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiB456DK, N-Channel 100V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet SIB456DK-T1-GE3