SIHA11N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 12 А, 0.38 Ом, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
533 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.38Ом |
| Power Dissipation | 34Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 34Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.38Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 440@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 34000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1670@100V |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 55 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
