SIHA12N60E-E3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 12 А, 0.32 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
418 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The SIHA12N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, PFC power supplies, adaptors, TV, game console and ATX power supply applications.
• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge
• Avalanche energy rated
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.32Ом |
| Power Dissipation | 33Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 33Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.32Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
