SIHA6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220FP

Фото 2/2 SIHA6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220FP
Фото 1/2 SIHA6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220FP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
944 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
300 руб.
от 10 шт.236 руб.
от 100 шт.182 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003227590
Артикул: SIHA6N80AE-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор N-CHANNEL 800V TO-220FP

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора to-220fp
Рассеиваемая Мощность 30Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.826Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Id - непрерывный ток утечки 5 A
Pd - рассеивание мощности 30 W
Qg - заряд затвора 15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 826 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 10 ns
Время спада 20 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.9 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 16 ns
Типичное время задержки при включении 12 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Base Product Number SIHA6 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SIHA6N80AE-GE3
pdf, 161 КБ
Datasheet SIHA6N80AE-GE3
pdf, 153 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах