SIHA6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

420 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 10 шт. — 380 руб.

от 100 шт. — 283 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 940 руб.

Номенклатурный номер: 8003227590

Артикул: SIHA6N80AE-GE3

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.826Ом
Power Dissipation	30Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	E
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	30Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.826Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1

pdf, 134 КБ

Мы рекомендуем