SIHB12N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10.5 А, 0.33 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 2/2 SIHB12N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10.5 А, 0.33 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Фото 1/2 SIHB12N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 10.5 А, 0.33 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
652 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
430 руб.
от 10 шт.320 руб.
от 100 шт.283 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 430 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8877474898
Артикул: SIHB12N50E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Низкая добротность (FOM) Ron x Qg
• Низкая входная емкость (СНПЧ)
• Пониженное переключение
• Пониженные потери проводимости
• Низкий заряд затвора (Qg) < br> • Класс энергопотребления от лавин (UIS)
• Без галогенов

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность 114Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 500в
Непрерывный Ток Стока 10.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.33Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 10.5 A
Pd - рассеивание мощности 114 W
Qg - заряд затвора 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 550 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 12 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 29 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-263-3
Base Product Number SIHB12 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package DВІPAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 20

Техническая документация

Datasheet SIHB12N50E-GE3
pdf, 202 КБ
Datasheet SIHB12N50E-GE3
pdf, 200 КБ
Datasheet SIHB12N50E-GE3
pdf, 203 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах