SIHB22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 2/3 SIHB22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface MountФото 3/3 SIHB22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Фото 1/3 SIHB22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1135 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
650 руб.
от 10 шт.491 руб.
от 100 шт.426 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001575264
Артикул: SIHB22N60EF-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263;w/diode

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность 179Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 19А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.158Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции EF Series
Transistor Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.41mm
Transistor Configuration Одинарный
Brand Vishay
Maximum Continuous Drain Current 19 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 179 W
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 9.65mm
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Высота 4.57мм
Maximum Drain Source Resistance 182 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 10 V
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage ±30 V
Forward Diode Voltage 1.2V
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.41мм
Максимальный непрерывный ток стока 19 А
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Id - непрерывный ток утечки 19 A
Pd - рассеивание мощности 179 W
Qg - заряд затвора 96 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 182 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 21 ns
Время спада 25 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5.8 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия EF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 58 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Base Product Number SIHB22 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 11A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EF ->
Supplier Device Package DВІPAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 20

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах