SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Фото 2/2 SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Фото 1/2 SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
47 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
1 060 руб.
от 10 шт.819 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 060 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001449902
Артикул: SIHB35N60EF-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 32А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.084Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции EF Series
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 32 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Qg - заряд затвора 134 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 97 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 85 ns
Время спада 61 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1
Серия EF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET
Типичное время задержки выключения 96 ns
Типичное время задержки при включении 28 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TO-263-3
Base Product Number SIHB35 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2568pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 97mOhm @ 17A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EF ->
Supplier Device Package DВІPAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах