SIHB35N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 32 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 750 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 500 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel 600V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount DВІPAK (TO-263)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.084Ом |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | EF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 32А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 250Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.084Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Base Product Number | SIHB35 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | EF -> |
| Supplier Device Package | DВІPAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 61 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 134 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 97 mOhms |
| Rise Time: | 85 ns |
| Series: | EF |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SIHB35N60EF-GE3
pdf, 186 КБ
Datasheet SIHB35N60EF-GE3
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
