SIHB6N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5.4 А, 0.82 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

SIHB6N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5.4 А, 0.82 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
940 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
510 руб.
от 10 шт.385 руб.
от 100 шт.327 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8000735218
Артикул: SIHB6N80E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность 78Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 5.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.82Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Surface Mount
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet SIHB6N80E-GE3
pdf, 132 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах