SIHD2N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.9 А, 2.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 2/3 SIHD2N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.9 А, 2.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface MountФото 3/3 SIHD2N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.9 А, 2.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Фото 1/3 SIHD2N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.9 А, 2.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3050 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
160 руб.
от 10 шт.131 руб.
от 100 шт.95 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001867798
Артикул: SIHD2N80AE-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая Мощность 62.5Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 2.9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 2.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E-Series
Transistor Mounting Surface Mount
Количество элементов на ИС 1
Length 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Vishay
Максимальный непрерывный ток стока 2,9 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation 62,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Ширина 6.22мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Height 2.25мм
Maximum Drain Source Resistance 2.9 Ω
Maximum Drain Source Voltage 800 В
Pin Count 3
Typical Gate Charge @ Vgs 7 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Id - непрерывный ток утечки 2.9 A
Pd - рассеивание мощности 62.5 W
Qg - заряд затвора 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 8 ns
Время спада 23 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 10 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-252-3
Base Product Number SIHD2 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 2.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 1.5

Техническая документация

Datasheet SIHD2N80AE-GE3
pdf, 196 КБ
Datasheet SIHD2N80AE-GE3
pdf, 136 КБ
Datasheet SIHD2N80AE-GE3
pdf, 135 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах