SIHD4N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 4.3 А, 1.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
291 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 940 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.1Ом |
Power Dissipation | 69Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | E |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 4.3А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.1Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet SIHD4N80E-GE3
pdf, 118 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов