SIHD4N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 4.3 А, 1.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Фото 2/2 SIHD4N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 4.3 А, 1.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Фото 1/2 SIHD4N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 4.3 А, 1.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2758 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
330 руб.
от 10 шт.244 руб.
от 100 шт.209 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001451968
Артикул: SIHD4N80E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая Мощность 69Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 4.3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1.1Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки 4.3 A
Pd - рассеивание мощности 69 W
Qg - заряд затвора 16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 7 ns
Время спада 20 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.5 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 26 ns
Типичное время задержки при включении 12 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок TO-252-3
Base Product Number SIHD4 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 622pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet SIHD4N80E-GE3
pdf, 190 КБ
Datasheet SIHD4N80E-GE3
pdf, 119 КБ
Datasheet SIHD4N80E-GE3
pdf, 118 КБ
Datasheet SIHD4N80E-GE3
pdf, 128 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах