SIHF22N60E-E3, MOSFET N-Channel 600V 21A

PartNumber: SIHF22N60E-E3
Ном. номер: 8113939571
Производитель: Vishay
SIHF22N60E-E3, MOSFET N-Channel 600V 21A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
490 × = 490
от 10 шт. — 280 руб.
от 20 шт. — 215 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
размеры
10.63 x 4.83 x 16.12mm
высота
16.12mm
длина
10.63mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.18 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
35 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220FP
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
57 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1920 pF@ 100 V
Typical Turn-Off Delay Time
59 ns
Typical Turn-On Delay Time
18 ns
ширина
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

SiHF22N60E, E Series Power MOSFET SIHF22N60E-E3