SIHG11N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 8 А, 0.391 Ом, TO-247AC, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
640 руб.
от 100 шт. —
523 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.391Ом |
Power Dissipation | 78Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | E |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 78Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.391Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet SIHG11N80AE-GE3
pdf, 184 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов