SIHG11N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 8 А, 0.391 Ом, TO-247AC, Through Hole

SIHG11N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 8 А, 0.391 Ом, TO-247AC, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.640 руб.
от 100 шт.523 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 3 000 руб.
Номенклатурный номер: 8008420766
Артикул: SIHG11N80AE-GE3

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.391Ом
Power Dissipation 78Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 78Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.391Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247AC
Вес, г 0.35

Техническая документация

Datasheet SIHG11N80AE-GE3
pdf, 184 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов