SIHG11N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 12 А, 0.38 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
530 руб.
от 10 шт. —
397 руб.
от 100 шт. —
394 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 179Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.38Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Вес, г | 3 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
