SIHG11N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 12 А, 0.38 Ом, TO-247AC, Through Hole

SIHG11N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 12 А, 0.38 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели
530 руб.
от 10 шт.397 руб.
от 100 шт.394 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000953670
Артикул: SIHG11N80E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Transistor Mounting Through Hole
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции E Series
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 12А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 179Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.38Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247AC
Вес, г 3

Дополнительная информация

Datasheet SIHG11N80E-GE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах