SIHG21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-247AC, Through Hole

Фото 2/4 SIHG21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-247AC, Through HoleФото 3/4 SIHG21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-247AC, Through HoleФото 4/4 SIHG21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-247AC, Through Hole
Фото 1/4 SIHG21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
415 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
600 руб.
от 10 шт.454 руб.
от 100 шт.393 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001841133
Артикул: SIHG21N80AE-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247AC

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-247ac
Рассеиваемая Мощность 32Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 17.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.205Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 15.87мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Vishay
Максимальный непрерывный ток стока 17,4 A
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 32 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.31мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Height 20.82мм
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 235 мΩ
Maximum Drain Source Voltage 800 В
Pin Count 3
Типичный заряд затвора при Vgs 48 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage ±30 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Количество элементов на ИС 1
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Continuous Drain Current 17,4 A
Package Type TO-247AC
Maximum Power Dissipation 32 Вт
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 5.31мм
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Высота 20.82мм
Typical Gate Charge @ Vgs 48 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
Base Product Number SIHG21 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1388pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 11A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 25

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах