SIHG22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-247AC, Through Hole

Фото 2/3 SIHG22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-247AC, Through HoleФото 3/3 SIHG22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-247AC, Through Hole
Фото 1/3 SIHG22N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 19 А, 0.158 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
550 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
530 руб.
от 10 шт.398 руб.
от 100 шт.345 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002414642
Артикул: SIHG22N60EF-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC;w/diode

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора to-247ac
Рассеиваемая Мощность 179Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 19А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.158Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции EF Series
Transistor Mounting Through Hole
Maximum Operating Temperature +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Длина 15.87мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Vishay
Maximum Continuous Drain Current 19 А
Тип корпуса TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности 179 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Ширина 5.31мм
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Height 20.82мм
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Drain Source Resistance 182 м. Ω
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Pin Count 3
Типичный заряд затвора при Vgs 48 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток ±30 В
Прямое напряжение диода 1.2V
Length 15.87мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальный непрерывный ток стока 19 А
Package Type TO-247AC
Maximum Power Dissipation 179 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Width 5.31мм
Минимальное пороговое напряжение включения 2V
Высота 20.82мм
Typical Gate Charge @ Vgs 48 нКл при 10 В
Channel Mode Поднятие
Id - непрерывный ток утечки 19 A
Pd - рассеивание мощности 179 W
Qg - заряд затвора 96 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 182 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 21 ns
Время спада 25 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 5.8 S
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 500
Серия EF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 58 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number SIHG22 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 11A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EF ->
Supplier Device Package TO-247AC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 20

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах