SIHG80N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 80 А, 0.028 Ом, TO-247AC, Through Hole

SIHG80N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 80 А, 0.028 Ом, TO-247AC, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
367 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
2 320 руб.
от 5 шт.2 160 руб.
от 10 шт.1 990 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 320 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001087103
Артикул: SIHG80N60EF-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора to-247ac
Рассеиваемая Мощность 520Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 600в
Непрерывный Ток Стока 80А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.028Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции EF Series
Transistor Mounting Through Hole
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SIHG80N60EF-GE3
pdf, 134 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах