SIHP15N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 14.5 А, 0.243 Ом, TO-220AB, Through Hole

Фото 2/2 SIHP15N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 14.5 А, 0.243 Ом, TO-220AB, Through Hole
Фото 1/2 SIHP15N50E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 14.5 А, 0.243 Ом, TO-220AB, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
751 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
410 руб.
от 10 шт.308 руб.
от 100 шт.253 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 410 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8256195686
Артикул: SIHP15N50E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 500V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Рассеиваемая Мощность 156Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 500в
Непрерывный Ток Стока 14.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.243Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 14.5 A
Pd - рассеивание мощности 156 W
Qg - заряд затвора 33 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 243 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 24 ns
Время спада 18 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 50
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 34 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220AB-3
Base Product Number SIHP15 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 14.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1162pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 7.5A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 2.17

Техническая документация

Datasheet SIHP15N50E-GE3
pdf, 279 КБ
Datasheet SIHP15N50E-GE3
pdf, 282 КБ
Datasheet SIHP15N50E-GE3
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах