SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole

SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 060 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.900 руб.
от 100 шт.712 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 180 руб.
Номенклатурный номер: 8204306482
Артикул: SIHP17N80E-GE3

Описание

МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 15 A
Pd - рассеивание мощности 208 W
Qg - заряд затвора 122 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 24 ns
Время спада 26 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 71 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SIHP17N80E-GE3
pdf, 126 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов