SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole

Фото 2/3 SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through HoleФото 3/3 SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole
Фото 1/3 SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
991 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
350 руб.
от 10 шт.338 руб.
от 100 шт.328 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.
Номенклатурный номер: 8204306482
Артикул: SIHP17N80E-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220AB

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Рассеиваемая Мощность 208Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 15А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Through Hole
Id - непрерывный ток утечки 15 A
Pd - рассеивание мощности 208 W
Qg - заряд затвора 122 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 24 ns
Время спада 26 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 1000
Серия E
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 71 ns
Типичное время задержки при включении 22 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Base Product Number SIHP17 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2408pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
Series E ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 15A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 208W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 290mО© @ 8.5A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800V
Vgs - Gate-Source Voltage 4V @ 250uA
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet SIHP17N80E-GE3
pdf, 126 КБ
Datasheet SIHP17N80E-GE3
pdf, 125 КБ
Datasheet SIHP17N80E-GE3
pdf, 125 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах