SIHP17N80E-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 15 А, 0.25 Ом, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
900 руб.
от 100 шт. —
712 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 180 руб.
Описание
МОП-транзистор 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Pd - рассеивание мощности | 208 W |
Qg - заряд затвора | 122 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 24 ns |
Время спада | 26 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 71 ns |
Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SIHP17N80E-GE3
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов