SIHP18N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 500 В, 225 мОм, 10 В, 5 В

PartNumber: SIHP18N50C-E3
Ном. номер: 8090416349
Производитель: Vishay
SIHP18N50C-E3, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 500 В, 225 мОм, 10 В, 5 В
Доступно на заказ 486 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
250 руб. × = 250 руб.
от 25 шт. — 214 руб.
от 100 шт. — 166 руб.

Описание

The SIHP18N50C-E3 is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• 100% Avalanche tested
• High peak current capability
• dV/dt Ruggedness
• Improved trr/Qrr
• Improved gate charge
• High power dissipations capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Рассеиваемая Мощность
223Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
18А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.225Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SIHP18N50C-E3