SIHP21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-220AB, Through Hole

SIHP21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-220AB, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
26 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
260 руб.
от 10 шт.250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8001869635
Артикул: SIHP21N80AE-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Рассеиваемая Мощность 32Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 17.4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.205Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Through Hole
Base Product Number SIHP21 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 17.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1388pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 11A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series E ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах