SIHP21N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 17.4 А, 0.205 Ом, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

510 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 10 шт. — 500 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 3 060 руб.

Номенклатурный номер: 8001869635

Артикул: SIHP21N80AE-GE3

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-канал 800 В 17,4 A (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.205Ом
Power Dissipation	32Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	E
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	17.4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	32Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.205Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Base Product Number	SIHP21 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	17.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1388pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235mOhm @ 11A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	E ->
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	1