Добавить к сравнению Сравнить ()

SIHP33N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: SIHP33N60EF-GE3
Ном. номер: 8067109592
Производитель: Vishay
SIHP33N60EF-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 769 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
430 × = 430
от 25 шт. — 385 руб.
от 100 шт. — 319 руб.

Описание

The SIHP33N60EF-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

• Fast body diode
• Reduced trr, Qrr and IRRM
• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Рассеиваемая Мощность
278Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Непрерывный Ток Стока
33А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.085Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SIHP33N60EF-GE3