SIHU5N50D-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: SIHU5N50D-GE3
Ном. номер: 8019672519
Производитель: Vishay
SIHU5N50D-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 500 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 1760 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
47 руб. × = 47 руб.
от 25 шт. — 44 руб.
от 100 шт. — 40 руб.

Описание

The SIHU5N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.

• Low area specific ON-resistance
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced capacitive switching losses
• High body diode ruggedness
• Avalanche energy rated (UIS)
• Simple gate drive circuitry
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Fast switching
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Линия Продукции
D Series
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-251
Рассеиваемая Мощность
104Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
5.3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet SIHU5N50D-GE3