SIHU6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-251, Through Hole

SIHU6N80AE-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5 А, 0.826 Ом, TO-251, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2975 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
270 руб.
от 10 шт.222 руб.
от 100 шт.164 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003187164
Артикул: SIHU6N80AE-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-251
Рассеиваемая Мощность 62.5Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.826Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции E Series
Transistor Mounting Through Hole
Вес, г 0.123

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах