SIR410DP-T1-GE3, MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
163 руб.
от 500 шт. —
131.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Process Technology | TrenchFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 23 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.8@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@10V|16.7@4.5V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1600@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 4200 |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 8 |
| Supplier Package | PowerPAK SO |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.04 |
| Package Length | 4.9 |
| Package Width | 5.89 |
| PCB changed | 8 |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.5066 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
