SIR862DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 25V 32A

PartNumber: SIR862DP-T1-GE3
Ном. номер: 8015692465
Производитель: Vishay
Доступно на заказ более 50 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
86 руб. × = 860 руб.
Цена указана за упаковку из 10
Количество товаров должно быть кратно 10 уп.

Описание

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
5.99 x 5 x 1.12мм
Максимальный непрерывный ток стока
32 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0035 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SO
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3800 пФ при 10 В
Типичное время задержки выключения
39 ns
Типичное время задержки включения
28 ns
Ширина
5mm
Материал транзистора
Кремний
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.12mm
Длина
5.99mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiR862DP, N-Channel 25V (D-S) MOSFET SIR862DP-T1-GE3