SIRA06DP-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
110 руб.
от 9000 шт. —
102 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 360 000 руб.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Width | 5.26mm |
