SIRA06DP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 30V 33.3A Pow

PartNumber: SIRA06DP-T1-GE3
Ном. номер: 8015811892
Производитель: Vishay
SIRA06DP-T1-GE3, MOSFET N-Ch 30V 33.3A Pow
Доступно на заказ более 40 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
120 руб. × = 600 руб.
Цена указана за упаковку из 5
Количество товаров должно быть кратно 5 уп.
от 50 уп. — 69 руб.
от 250 уп. — 49.84 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, TrenchFET® Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор с щелевой структурой
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
6.25 x 5.26 x 1.12мм
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0035 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
62.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
PowerPAK SO
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3595 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
5.26mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Высота
1.12mm
Длина
6.25mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

SiRA06DP, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet SIRA06DP-T1-GE3