Мой регион: Россия

SIRA14DP-T1-GE3, MOSFET N-CH 30V 19.8A POWERPAK SO8

Ном. номер: 8000004437
PartNumber: SIRA14DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
SIRA14DP-T1-GE3, MOSFET N-CH 30V 19.8A POWERPAK SO8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
79 руб.
4790 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 37 руб.
от 250 шт. — 28 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
57 руб. 2-3 недели, 2975 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 47 руб.
от 100 шт. — 34 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
58 А
Тип корпуса
PowerPAK SO
Максимальное рассеяние мощности
31,2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.26мм
Высота
1.12мм
Размеры
6.25 x 5.26 x 1.12мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.25мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
18 нс
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Максимальное сопротивление сток-исток
8,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
19.4 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1450 pF @ 15 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.