SIS110DN-T1-GE3, MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 руб.
Кратность заказа 6000 шт.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 318 000 руб.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 24Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 14.2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet SIS110DN-T1-GE3
pdf, 179 КБ
