SiS110DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin 1212

Фото 2/2 SiS110DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin 1212
Фото 1/2 SiS110DN-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin 1212
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1800 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
61 руб.
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 1 525 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003944229
Артикул: SiS110DN-T1-GE3
Производитель: Vishay

Описание

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Количество элементов на ИС 1
Length 3.15мм
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand Vishay Siliconix
Максимальный непрерывный ток стока 14,2 А
Package Type 1212
Максимальное рассеяние мощности 24 Вт
Серия TrenchFET
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.15мм
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Минимальное пороговое напряжение включения 4V
Height 1.07мм
Maximum Drain Source Resistance 70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Pin Count 8
Typical Gate Charge @ Vgs 8,5 нКл при 10 В
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В
Прямое напряжение диода 1.2V

Техническая документация

Datasheet SIS110DN-T1-GE3
pdf, 179 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах